[发明专利]一种超低插损的高功率光纤耦合结构在审
申请号: | 201710445684.X | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109085677A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 吴砺;林磊;董海军;蔡光明 | 申请(专利权)人: | 福州高意光学有限公司 |
主分类号: | G02B6/255 | 分类号: | G02B6/255;G02B6/34 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 余小丽 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种超低插损的高功率光纤耦合结构,其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤,其中N为大于或等于1的整数;N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体,各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。本发明将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤的表面上,各泵浦光纤与信号光纤的相对位置能保持稳定,不会产生移位;此外,泵浦光纤内的泵浦光经全内反射的光反射结构的反射后进入信号光纤的包层内,泵浦光几乎不会再从端面射出,因此各泵浦光纤内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤的包层内进耦合,从而实现超低插损的高功率耦合器。 | ||
搜索关键词: | 泵浦光纤 信号光纤 泵浦光 插损 高功率光纤 光反射结构 耦合结构 包层 熔接 全内反射 耦合 高功率 光输出 耦合器 移位 反射 射出 | ||
【主权项】:
1.一种超低插损的高功率光纤耦合结构,其特征在于:其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤,其中N为大于或等于1的整数;N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体,各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。
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