[发明专利]一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法在审

专利信息
申请号: 201710446253.5 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN107247845A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 黄洪钟;叶培莲;李彦锋;黄承赓;彭卫文;黄思思;郭来小 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,通过将失效模式与多芯片组件的结构材料等性能参数相关联,建立了一种从多芯片组件失效本质出发的可靠性分析方法;提供一套多芯片组件失效物理分析的规范化流程,该方法实施时并不是依托可靠性寿命数据,而是从多芯片组件的工艺参数信息、材料信息、加工制造、实际使用情况出发进行分析,可有效避免寿命数据不足的难点,减少成本;并且本申请方法从多芯片组件失效的本质出发,刻画产品的失效,为优化多芯片组件结构设计、材料、制造工艺等提供可靠建议,可相对准确地找出产品可靠性薄弱环节,进而得到了与实际情况更为符合的分析结果。
搜索关键词: 一种 基于 失效 物理 模型 芯片 组件 可靠性分析 方法
【主权项】:
一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法,其特征在于,包括:S1、确定多芯片组件在寿命周期内的任务剖面;S2、根据步骤S1的任务剖面确定其环境载荷剖面;S3、根据任务剖面和环境载荷剖面得到对应的多芯片组件应力剖面集合;S4、根据步骤S3的多芯片组件应力剖面集合,对该多芯片组件进行FMMEA分析;确定该多芯片组件潜在的失效机理与失效模式;S5、根据步骤S4的多芯片组件潜在的失效机理与失效模式,确定失效物理模型。
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