[发明专利]晶片的抛光控制方法及抛光系统有效
| 申请号： | 201710446753.9 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108857859B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 金圣教 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B49/12;B24B37/005;B24B49/16;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片的抛光控制方法及抛光系统，提供一种能够进行控制以便在抛光结束时间点使晶片抛光层的厚度分布均一的晶片的抛光控制方法及利用其的抛光系统，该方法包括：抛光步骤，针对晶片的所述抛光层进行抛光；光照射步骤，向所述晶片的所述抛光层的第1位置和第2位置照射光；光接收步骤，接收所述晶片的所述第1位置的第1反射光和所述第2位置的第2反射光；压力调节步骤，按区域(zone)调节所述晶片的压力，以便消除来自所述第1反射光的第1光干涉信号与来自所述第2反射光的第2光干涉信号的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 抛光 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的抛光系统，所述晶片在底面形成有光透过性材质的抛光层，其特征在于，包括：抛光垫，其在抛光板上旋转；光照射部，其向所述晶片的抛光层照射光；调节器，其对所述抛光垫加压并改性；光接收部，其接收在所述抛光层的第1位置反射的第1光干涉信号以及在不同于所述第1位置的第2位置反射的第2光干涉信号；控制部，其调节对所述晶片加压的抛光头的压力，以减小所述第1光干涉信号与所述第2光干涉信号的偏差。
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