[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710447863.7 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087862B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成掺杂区、初始覆盖层和介质层，掺杂区位于基底中，初始覆盖层位于掺杂区表面，介质层位于初始覆盖层和基底上；在介质层中形成通孔，所述通孔暴露出初始覆盖层的表面；刻蚀通孔底部的初始覆盖层，使初始覆盖层形成目标覆盖层，所述目标覆盖层包括通孔底部暴露出的硅化区，硅化区的厚度小于初始覆盖层的厚度；采用自对准硅化工艺使硅化区形成金属硅化物层，金属硅化物层与掺杂区接触。所述方法使得半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成掺杂区、初始覆盖层和介质层，掺杂区位于基底中，初始覆盖层位于掺杂区表面，介质层位于初始覆盖层和基底上；在介质层中形成通孔，所述通孔暴露出初始覆盖层的表面；刻蚀通孔底部的初始覆盖层，使初始覆盖层形成目标覆盖层，所述目标覆盖层包括通孔底部暴露出的硅化区，硅化区的厚度小于初始覆盖层的厚度；采用自对准硅化工艺使硅化区形成金属硅化物层，金属硅化物层与掺杂区接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
