[发明专利]一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块

摘要

本发明公开了一种低寄生电感功率模块，包括输入功率端子、输出功率端子、顶部金属绝缘基板、底部金属绝缘基板和塑封外壳，输入功率端子包括正极功率端子、负极功率端子，顶部金属绝缘基板与底部金属绝缘基板叠层设置，顶部金属绝缘基板与底部金属绝缘基板在二者相对的面上均烧结有芯片，正极功率端子、负极功率端子以及与输出功率端子均与芯片电连接；输出功率端子包括焊接部和位于塑封外壳外部的连接部，焊接部位于顶部金属绝缘基板与底部金属绝缘基板之间。本发明大大降低了回路寄生电感，减小了功率模块的体积，节约了成本，减轻了重量，尤其适合SiC功率芯片的封装，充分提高了过流能力，提高了模块的可靠性。

主权项

1.一种低寄生电感功率模块，其特征在于，包括输入功率端子、输出功率端子(3)、顶部金属绝缘基板(4)、底部金属绝缘基板(5)和塑封外壳(15)，所述输入功率端子包括正极功率端子(1)、负极功率端子(2)，顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)叠层设置，顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)在二者相对的面上均烧结有芯片，正极功率端子(1)、负极功率端子(2)以及与输出功率端子(3)均与芯片电连接；所述输出功率端子(3)包括焊接部(31)和位于塑封外壳(15)外部的连接部(32)，所述焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)之间；/n关于顶部金属绝缘基板(4)与底部金属绝缘基板(5)上芯片的设置，有第一方案和第二方案这两个并列方案：/n第一方案为：所述底部金属绝缘基板(5)上烧结有上半桥开关芯片(6)和上半桥二极管芯片(7)，顶部金属绝缘基板(4)上烧结有下半桥开关芯片(8)和下半桥二极管芯片(9)，所述上半桥开关芯片(6)与下半桥二极管芯片(9)叠层设置，下半桥开关芯片(8)与上半桥二极管芯片(7)叠层设置，焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片和底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片之间；/n第二方案为：所述顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片为下半桥二极管芯片(9)和上半桥二极管芯片(7)，底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片为下半桥开关芯片(8)和上半桥开关芯片(6)，其中，下半桥二极管芯片(9)与上半桥开关芯片(6)叠层设置，上半桥二极管芯片(7)与下半桥开关芯片(8)叠层设置，焊接部(31)位于顶部金属绝缘基板(4)上烧结的芯片和底部金属绝缘基板(5)上烧结的芯片之间。/n