[发明专利]一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法和键合结构

摘要

本发明特别涉及一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法和键合结构。方法包括：在晶圆的介质层表面预设位置处沉积正面键合点，晶圆包括第一基底和介质层，介质层包含多个金属连接点；将部分金属连接点引出，形成金属转移点；在金属转移点处进行通孔刻蚀，形成多个通孔；对通孔内部进行导电金属淀积，填充通孔；对基底远离介质层的表面进行减薄和化学机械平坦化处理，直至露出导电金属，以导电金属为背面键合点，形成正面和背面都有键合点的用于多层键合堆叠的键合结构。通过本发明的方法能实现多个晶圆或芯片的键合堆叠，可以有效提高集成电路芯片线路设计的自由性以及芯片的有效利用面积，减少了由于连线太长造成的电阻大以及带宽降低等问题。

主权项

1.一种用于多层键合堆叠的键合结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤1，在晶圆的介质层表面预设位置处沉积正面键合点，所述晶圆包括基底和介质层，所述介质层包含多个金属连接点；步骤2，将所述介质层的部分金属连接点引出至介质层表面没有电路的位置，形成金属转移点；步骤3，在金属转移点处进行通孔刻蚀，形成多个通孔，每个通孔均延伸到所述基底的内部；步骤4，对所述通孔内部进行导电金属淀积，填充所述通孔；步骤5，翻转所述晶圆，对所述基底远离所述介质层的表面进行减薄和化学机械平坦化处理，直至露出所述步骤4中沉积的导电金属，所述导电金属作为背面键合点，形成正面和背面都有键合点的用于多层键合堆叠的键合结构。