[发明专利]铁电内存及其数据读取、写入与制造方法和电容结构在审
| 申请号： | 201710449284.6 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087674A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘福洲 | 申请（专利权）人： | 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 萨摩亚阿皮*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本案所提供的铁电内存的一个选定铁电记忆胞电性耦接至第一与第二位线、第一与第二字线以及板线。此选定铁电记忆胞包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及铁电电容。其中，第一场效应晶体管的控制端电性耦接至第一字线，第一场效应晶体管的第一通路端电性耦接至第一位线，其第二通路端电性耦接至铁电电容的第一电容端及第二场效应晶体管的第二通路端；铁电电容的第二电容端电性耦接至板线；第二场效应晶体管的控制端电性耦接至第二字线，且其第一通路端电性耦接至第二位线。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 电性耦接 通路端 铁电电容 位线 字线 铁电记忆胞 铁电内存 控制端 电容 板线 电容结构 数据读取 端电性 耦接 写入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种铁电内存的数据读取方法，适用于读取储存在一铁电内存中的数据，该铁电内存包括至少一铁电记忆胞，该铁电记忆胞包括一第一场效应晶体管以及一第一铁电电容，该第一场效应晶体管包括控制端、第一通路端及第二通路端，该第一铁电电容包括第一电容端与第二电容端，该第一场效应晶体管的控制端电性耦接至一第一字线，该第一场效应晶体管的第一通路端电性耦接至一第一位线，该第一场效应晶体管的第二通路端电性耦接至该第一铁电电容的第一电容端，该第一铁电电容的第二电容端电性耦接至一板线，其特征在于：提供一第一讯号至该板线，其中该第一讯号在一第一时段之中的电位与在该第一时段之外的电位不同；提供一第二讯号至该第一字线，其中该第二讯号在一第二时段之中的电位与在该第二时段之外的电位不同；在该第二时段之中，取得该第一位线的一第一数据讯号；在该第一时段之中，根据该第一数据讯号的电位与一第一参考电位之间的关系，写入对应的数据至该铁电记忆胞中；以及根据该第一数据讯号的电位与该第一参考电位之间的关系，输出该铁电记忆胞所储存的数据，其中，该第一时段完全涵盖该第二时段，且在该第一时段之中，该第一讯号的电位维持不变。
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