[发明专利]一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管在审
| 申请号： | 201710449381.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107302044A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 苏龙兴;方晓生 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、n型ZnO、多量子阱MQWs、和p型ZnO。其中多量子阱MQWs由具有Cd组份周期锯齿形状变化的CdxZn1‑xO/ZnO组成，通过调节量子阱层中的Cd组份周期性变化，使得形成周期性富Cd组份聚集区，降低载流子非辐射复合效率；相邻量子阱间的载流子形成强烈耦合，有利于载流子的集体振荡，提升辐射复合效率；调节能带结构，降低极化效应，提升量子阱中电子和空穴的波函数交叠，最终实现发光二极管的发光强度和量子效率大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 耦合 增强 zno 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管，其特征在于，包括衬底、衬底上面的缓冲层、n型ZnO层，在n型ZnO层上面的CdxZn1‑xO/ZnO多量子阱，在多量子阱层上面的p型ZnO层，在p型层和n型层上的金属接触电极；其中多量子阱层中阱层由Cd组份具有周期锯齿状变化的CdxZn1‑xO组成，垒层则由ZnO组成。
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