[发明专利]紫外线发射装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201710449818.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107564895A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘赛锦;王小宁;廖翊韬;道格拉斯·A·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 紫岳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种紫外线发射装置及其形成方法。本发明的实施例包含紫外发光二极管(UVLED)，所述UVLED包含具有安置在n型区域与p型区域之间的有源层的半导体结构。所述有源层发射紫外线辐射。所述UVLED安置在支架上。反射层安置在环绕所述UVLED的所述支架的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 发射 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：发光二极管(UVLED)，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射紫外线辐射；支架，其中所述UVLED安置在所述支架上；以及反射层，其安置在环绕所述UVLED的所述支架的表面上。
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