[发明专利]一种基于脉冲充电的软启动电路

摘要

一种基于脉冲充电的软启动电路，属于电力电子技术领域。包括脉冲信号产生单元、充电单元和误差放大器单元，脉冲信号产生电路对时钟信号clk进行数字处理，得到了窄脉冲信号Vpulse；充电单元通过窄脉冲信号Vpulse实现对软启动电容C的缓慢充电，得到了缓慢上升的上升电压Vraise，由于平均充电电流较小，所以软启动电容C不必太大，可以做到片内；通过缓慢上升的上升电压Vraise控制误差放大器单元输出的软启动电压Vout缓慢上升，实现了软启动，并且当输出的软启动电压Vout稳定后充电单元产生停止信号作用脉冲信号产生单元，从而关闭软启动电路。本发明减少了芯片引脚数与板级空间，且无需对误差放大器的输入进行切换，有效减小了毛刺，实现了平稳过渡。

主权项

一种基于脉冲充电的软启动电路，其特征在于，包括脉冲信号产生单元、充电单元和误差放大器单元，所述脉冲信号产生单元包括第一与门(AND1)、第二与门(AND2)、第一与非门(NAND1)、第一缓冲器(BUFFER1)和第一非门(INV1)，第一与门(AND1)的第一输入端连接使能信号(VEN)，其输出端输出控制信号(VE)并连接第一与非门(NAND1)的第一输入端；第一与非门(NAND1)的第二输入端连接时钟信号(clk)，其输出端连接第一缓冲器(BUFFER1)的输入端和第一非门(INV1)的输入端；第二与门(AND2)的第一输入端连接第一缓冲器(BUFFER1)的输出端，其第二输入端连接第一非门(INV1)的输出端，其输出端输出窄脉冲信号(Vpulse)；所述充电单元包括第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第一施密特反相器(SINV1)和软启动电容(C)，第二反相器(INV2)的输入端连接所述控制信号(VE)，其输出端连接第一PMOS管(P1)的栅极；第三反相器(INV3)的输入端连接使能信号(VEN)，其输出端连接第二NMOS管(N2)的栅极；第一NMOS管(N1)的栅极连接所述窄脉冲信号(Vpulse)，其漏极连接第一PMOS管(P1)的漏极，其源极连接第二NMOS管(N2)的漏极、第二PMOS管(P2)的漏极和第一施密特反相器(SINV1)的输入端并作为所述充电单元的输出端输出上升电压(Vraise)；第一施密特反相器(SINV1)的输出端连接第二PMOS管(P2)的栅极并输出停止信号连接所述脉冲信号产生单元中第一与门(AND1)的第二输入端；软启动电容(C)接在第二PMOS管(P2)的漏极和地之间，第二NMOS管(N2)的源极接地，第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)的源极接电源电压(VDD)；所述误差放大器单元的正向输入端连接基准电压(Vref)，其负向输入端连接反馈电压(VFB)，其控制端连接所述充电单元产生的上升电压(Vraise)，其输出端输出软启动电压(Vout)。