[发明专利]一种浪涌电压动态抑制电路

摘要

一种浪涌电压动态抑制电路，属于电子电路技术领域。本发明的电路包括浪涌电压检测电路和动态吸波电路，浪涌电压检测电路实时检测芯片内部电源Vin的电压值，并将此值与设定的启动动态吸波电路的开启阈值V_T进行比较，如果Vin＞V_T，便会开启动态吸波电路，将Vin限制在正常的工作电压。本发明抑制了芯片中浪涌电压的产生，克服了传统用滤波大电容占用较大芯片面积的缺点；本发明可以根据实际需求自行设定浪涌电压抑制电路的启动电压值，检测到浪涌电压时自动抑制浪涌电压，将其降到合理的值，保护了芯片内部器件的安全工作；当浪涌电压特别严重时，可以额外的打开一条放电通路来抑制浪涌电压的产生。

主权项

1.一种浪涌电压动态抑制电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和电压产生电路，第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第二PMOS管(MP2)的栅极和第一NMOS管(MN1)的漏极，第一PMOS管(MP1)的源极连接第二PMOS管(MP2)的源极和第二NMOS管(MN2)的漏极并作为浪涌电压检测及控制端；第一NMOS管(MN1)的源极接地，其栅极通过第一电阻(R1)后接地；第二NMOS管(MN2)的源极接地，其栅极连接第二PMOS管(MP2)的漏极并通过第二电阻(R2)后接地；所述电压产生电路的输入端连接第一PMOS管(MP1)的源极，其输出端连接第一NMOS管(MN1)的栅极；所述电压产生电路包括低通滤波器(LPF)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第一运算放大器(OP1)、第二运算放大器(OP2)和第三运算放大器(OP3)，低通滤波器(LPF)的输入端作为所述电压产生电路的输入端，其输出端通过第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联结构后接地；第二运算放大器(OP2)的正向输入端连接第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联点，第二运算放大器(OP2)的输出端连接其负向输入端并通过第七电阻(R7)后连接第一运算放大器(OP1)的负向输入端和第四NMOS管(MN4)的源极；第一运算放大器(OP1)的正向输入端连接第三NMOS管(MN3)的栅极和漏极，其输出端连接第四NMOS管(MN4)的栅极，第三NMOS管(MN3)的源极接地；第三运算放大器(OP3)的正向输入端连接第四NMOS管(MN4)的漏极，其负向输入端连接第五NMOS管(MN5)的源极并通过第九电阻(R9)后接地；第五NMOS管(MN5)的栅极接第三运算放大器(OP3)的输出端，其漏极作为所述电压产生电路的输出端；第五电阻(R5)接在低通滤波器(LPF)的输出端和第三NMOS管(MN3)的漏极之间，第六电阻(R6)接在低通滤波器(LPF)的输出端和第四NMOS管(MN4)的漏极之间，第八电阻接在低通滤波器(LPF)的输入端和第五NMOS管(MN5)的漏极之间。