[发明专利]半导体装置封装有效

专利信息
申请号: 201710451949.7 申请日: 2017-06-15
公开(公告)号: CN107527889B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 凯·史提芬·艾斯格;邱基综;李彗华 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/538
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一半导体裸片、电介质层、第一经图案化导电层以及第二经图案化导电层。所述第一导电基底界定第一腔。所述第一半导体裸片在所述第一腔的底部表面上。所述电介质层覆盖所述第一半导体裸片、所述第一导电基底的第一表面和第二表面且填充所述第一腔。所述第一经图案化导电层在所述电介质层的第一表面上。所述第二经图案化导电层在所述电介质层的第二表面上。
搜索关键词: 半导体 装置 封装
【主权项】:
1.一种半导体装置封装,其包括:第一导电基底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且在所述第一导电基底的所述第一表面中界定第一腔,所述第一腔具有底部表面;第一半导体裸片,其安置于所述第一腔的所述底部表面上;电介质层,其安置于所述第一半导体裸片、所述第一导电基底的所述第一表面和所述第二表面上且填充所述第一腔,其中所述电介质层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一经图案化导电层,其安置于所述电介质层的所述第一表面上;第二经图案化导电层,其安置于所述电介质层的所述第二表面上;多个第一互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一半导体裸片和所述第一经图案化导电层;以及多个第二互连结构,其安置于所述电介质层中且电连接到所述第一导电基底的所述第二表面和所述第二经图案化导电层。
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