[发明专利]存储器件、存储器阵列结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710452299.8 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107564561B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种包括存储器单元阵列的存储器件。第一位线连接至存储器单元阵列的第一列中的存储器单元。第一位线设置在第一金属层上。第二位线连接至第一位线。第二位线设置在第二金属层上并通过至少一个通孔连接至第一位线。字线连接至存储器单元阵列的行。本发明还提供了存储器阵列结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 存储器 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：存储单元阵列；第一位线，连接至所述存储器单元阵列的第一列中的存储器单元，其中，所述第一位线设置在第一金属层上；第二位线，连接至所述第一位线，其中，所述第二位线设置在第二金属层上并通过至少一个通孔连接至所述第一位线；以及字线，连接至所述存储器单元阵列的行。
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