[发明专利]MOS管驱动电路在审
申请号: | 201710453077.8 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN109149913A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 周兴鹏;袁再松 | 申请(专利权)人: | 上海铼钠克数控科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 胡美强;罗朗 |
地址: | 200231 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种MOS管驱动电路,用于驱动目标NMOS管,电路包括光电耦合器、电平驱动器、NMOS管、PMOS管、第一电阻,光电耦合器的阳极与控制信号输入端连接、阴极接地,光电耦合器的集电极分别与电平驱动器的输入端以及第一电源连接,光电耦合器的发射极接地,电平驱动器的输出端分别与NMOS管的栅极、PMOS管的栅极连接,NMOS管的漏极与第二电源连接,PMOS管的漏极接地,NMOS管的源极、PMOS管的源极以及第一电阻一端均与目标NMOS管的栅极连接,第一电阻另一端以及目标NMOS管的源极均与第一电源连接。本发明开关速度快,占空比可到100%,具有负压关断功能,电气隔离性好,不易受干扰。 | ||
搜索关键词: | 光电耦合器 电平驱动器 电源连接 电阻 源极 栅极连接 漏极 控制信号输入端 发射极接地 阳极 电气隔离 驱动目标 阴极接地 接地 集电极 输出端 输入端 占空比 负压 关断 电路 | ||
【主权项】:
1.一种MOS管驱动电路,驱动电路用于驱动目标NMOS管,其特征在于,所述驱动电路包括光电耦合器、电平驱动器、NMOS管、PMOS管、第一电阻,所述光电耦合器的阳极与控制信号输入端连接、阴极接地,所述光电耦合器的集电极分别与所述电平驱动器的输入端以及第一电源连接,所述光电耦合器的发射极接地,所述电平驱动器的输出端分别与所述NMOS管的栅极以及所述PMOS管的栅极连接,所述NMOS管的漏极与第二电源连接,所述PMOS管的漏极接地,所述NMOS管的源极、所述PMOS管的源极以及所述第一电阻的一端均与所述目标NMOS管的栅极连接,所述第一电阻的另一端以及所述目标NMOS管的源极均与所述第一电源连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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