[发明专利]高压元件

摘要

本发明涉及一种高压元件，包含：一作用层，形成于一基板上，具有一作用层表面；一体区与一阱区，形成于作用层中并连接于作用层表面下方，于两区连接处形成一PN结；一栅极，形成于作用层表面上；一源极与一漏极，源极形成于体区上的作用层中，漏极形成于阱区上的作用层中；一假性栅极，形成于作用层表面上，且介于栅极与漏极之间；一第一隔绝保护氧化层，形成于栅极、阱区、以及假性栅极之上；一第一导体层，形成于第一隔绝保护氧化层上；一第二隔绝保护氧化层，形成于假性栅极以及阱区之上，且不与第一隔绝保护氧化层相连；以及一第二导体层，形成于第二隔绝保护氧化层上。

主权项

1.一种高压元件，其特征在于，包含：一基板，于一纵向上，具有一上表面；一作用层，形成于该基板上，于该纵向上，具有相对该上表面的一作用层表面，且该作用层堆叠并连接于该上表面上；一体区，具有一第一导电型，形成于该作用层中，且于该纵向上，连接于该作用层表面下方；一阱区，具有一第二导电型，形成于该作用层中，且于该纵向上，连接于该作用层表面下方，且于一横向上，与该体区连接，且该体区与该阱区形成一PN结；一栅极，形成于该作用层表面上，于该纵向上，该栅极堆叠并连接于该作用层表面上，且该PN结位于该栅极正下方；一源极，具有该第二导电型，形成于该体区上的该作用层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该体区与该作用层表面之间；一漏极，具有该第二导电型，形成于该阱区上的该作用层中，且于该纵向上，堆叠并连接于该阱区与该作用层表面之间；一假性栅极，形成于该作用层表面上，且于该横向上，该假性栅极介于该栅极与该漏极之间；一第一隔绝保护氧化层，具有一第一相连层结构，该第一相连层结构形成于该栅极的一部分、该阱区的一部分、以及该假性栅极的一部分上，其中位于该阱区的一部分上的该第一相连层结构，介于该栅极与该假性栅极之间；一第一导体层，形成于该第一隔绝保护氧化层上；一第二隔绝保护氧化层，具有一第二相连层结构，该第二相连层结构形成于该假性栅极的一部分以及该阱区的一部分上，该第二隔绝保护氧化层不与该第一隔绝保护氧化层相连，其中于该阱区的一部分的该第二相连层结构，介于该假性栅极与该漏极之间；以及一第二导体层，形成于该第二隔绝保护氧化层上，该第二导体层不连接于该第一导体层。