[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710454452.0 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107578789B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 妹尾真言;林小峰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C8/12;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的非易失性半导体存储装置(10)包括：存储器阵列(20)，包含多个存储元件；选择部件，基于地址数据来选择所述存储器阵列的存储元件；模式选择部(30)，选择RAM模式与快闪模式中的任一个，所述RAM模式是根据写入数据而使存储元件的数据能够覆写的模式，所述快闪模式是当写入数据为第1值时使存储元件的数据能够覆写，而为第2值时禁止重写的模式；以及写入控制部件，根据由动作模式选择部(30)所选择的RAM模式或快闪模式来对选择存储元件进行写入数据的写入。因此能够对其他种类的半导体存储装置的规格或写入获得兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：存储器阵列，包含多个存储元件；选择部件，基于地址数据来选择所述存储器阵列的所述存储元件；动作模式选择部件，能够选择第1动作模式与第2动作模式中的任一个，所述第1动作模式是根据写入数据而使所述存储元件的数据能够覆写的模式，所述第2动作模式是当所述写入数据为第1值时使所述存储元件的数据能够覆写，而为第2值时禁止重写的模式；以及写入控制部件，根据由所述动作模式选择部件所选择的所述第1动作模式或所述第2动作模式，对由所述选择部件所选择的所述存储元件进行所述写入数据的写入。
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