[发明专利]一种增大离子注入束流的离子发射装置及方法有效
| 申请号： | 201710456328.8 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107393796B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增大离子注入束流的离子发射装置，包括离子源、第一吸极、储存磁场和磁性分析部件，所述第一吸极设置在离子源的出口方向，所述储存磁场与所述第一吸极的出口偏转一定的角度，该角度使得经过第一吸极的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述磁性分析部件用于对储存磁场中的离子进行检测分离；所述离子源电离的离子经过第一吸极引出，被第一吸极引出的离子进入储存磁场中做圆周运动，当储存磁场中的离子数量达到规定值时，将储存磁场中的离子释放至所述磁性分析部件中。本发明提供的增大离子注入束流的离子发射装置可以增大离子注入束流，进而提高离子注入工艺的均匀性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 离子 注入 发射 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增大离子注入束流的离子发射装置，其特征在于，包括离子源、第一吸极、储存磁场和磁性分析部件，所述第一吸极设置在离子源的出口方向，所述储存磁场与所述第一吸极的出口偏转一定的角度，该角度使得经过第一吸极的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述磁性分析部件用于对储存磁场中的离子进行检测分离；所述离子源电离的离子经过第一吸极引出，被第一吸极引出的离子进入储存磁场中做圆周运动，所述储存磁场设置可打开的缺口，当储存磁场中的离子数量达到规定值时，所述储存磁场打开缺口，将储存磁场中的离子释放至所述磁性分析部件中。
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