[发明专利]与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201710456658.7 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527812B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | C.达尔;D.A.楚马科夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上；在半导体衬底和衬垫上提供隔离层，以使得衬垫被隔离层覆盖；去除隔离层直至衬垫；以及选择性地去除衬垫，以获得发射极窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 区域 完全 对准 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于制造双极结型晶体管的方法，所述方法包括：提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底(的表面)上；在半导体衬底(的表面)和衬垫上提供隔离层，以使得衬垫被隔离层覆盖；去除隔离层直至衬垫(以使得露出衬垫的表面)；以及选择性地去除衬垫，以获得发射极窗口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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