[发明专利]成膜方法和TFT的制造方法有效
| 申请号： | 201710457272.8 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107523800B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤吉宏;渡边幸夫;窪田真树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/40;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O | ||
| 搜索关键词： | 方法 tft 制造 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：/n搬入步骤，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中，Cu部为由含Cu的材料形成的构造物；/n第一供给步骤，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体；/n第一成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、含有所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体的混合气体的等离子体，在所述Cu部上形成保护膜；/n第二供给步骤，向所述处理容器内供给氯化硅气体或氟化硅气体或者它们的混合气体、和不包含氢原子的含氧气体或者含氮气体；和/n第二成膜步骤，利用供给到所述处理容器内的、所述氯化硅气体或所述氟化硅气体或者它们的混合气体和含有所述含氧气体或者所述含氮气体的混合气体的等离子体，在所述保护膜上形成氧化硅膜或者氮化硅膜，/n所述第一气体为含卤素原子的硅系气体，/n所述第二气体为O
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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