[发明专利]一种异质结太阳能电池电极的制作方法在审
申请号: | 201710457987.3 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN109148615A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 张超华;杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;庄辉虎 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/074 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种异质结太阳能电池电极的制作方法,包括提供正、背面已沉积铜种子层的硅片;在所述硅片的正、背面沉积牺牲层;在所述硅片正、背面的牺牲层上形成光阻层;通过曝光和显影在硅片正、背面的牺牲层上形成栅线图案;通过酸性溶液预处理,去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层;在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜,形成铜栅线电极;通过碱性溶液,去除硅片正、背面的光阻层和牺牲层;通过金属蚀刻溶液,去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。本发明通过在铜种子层上增加一层牺牲层,对铜种子层起到了很好的保护效果,避免铜种子层在电镀前被氧化或被污染。 | ||
搜索关键词: | 硅片 牺牲层 铜种子层 栅线图案 去除 异质结太阳能电池 光阻层 电极 沉积 铜栅 背面 金属蚀刻溶液 预处理 碱性溶液 酸性溶液 电镀铜 线电极 线区域 电镀 显影 制作 曝光 污染 | ||
【主权项】:
1.一种异质结太阳能电池电极的制作方法,其特征在于,包括:提供正、背面已沉积铜种子层的硅片;在所述硅片的正、背面沉积牺牲层;在所述硅片正、背面的牺牲层上形成光阻层;通过曝光和显影在硅片正、背面的牺牲层上形成栅线图案;通过酸性溶液预处理,去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层;在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜,形成铜栅线电极;通过碱性溶液,去除硅片正、背面的的光阻层和牺牲层;通过金属蚀刻溶液,去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建金石能源有限公司,未经福建金石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710457987.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅异质结太阳电池及其制备方法
- 下一篇:硅异质结太阳电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的