[发明专利]一种异质结太阳能电池电极的制作方法在审

专利信息
申请号: 201710457987.3 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN109148615A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 张超华;杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;庄辉虎 申请(专利权)人: 福建金石能源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/074
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种异质结太阳能电池电极的制作方法,包括提供正、背面已沉积铜种子层的硅片;在所述硅片的正、背面沉积牺牲层;在所述硅片正、背面的牺牲层上形成光阻层;通过曝光和显影在硅片正、背面的牺牲层上形成栅线图案;通过酸性溶液预处理,去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层;在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜,形成铜栅线电极;通过碱性溶液,去除硅片正、背面的光阻层和牺牲层;通过金属蚀刻溶液,去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。本发明通过在铜种子层上增加一层牺牲层,对铜种子层起到了很好的保护效果,避免铜种子层在电镀前被氧化或被污染。
搜索关键词: 硅片 牺牲层 铜种子层 栅线图案 去除 异质结太阳能电池 光阻层 电极 沉积 铜栅 背面 金属蚀刻溶液 预处理 碱性溶液 酸性溶液 电镀铜 线电极 线区域 电镀 显影 制作 曝光 污染
【主权项】:
1.一种异质结太阳能电池电极的制作方法,其特征在于,包括:提供正、背面已沉积铜种子层的硅片;在所述硅片的正、背面沉积牺牲层;在所述硅片正、背面的牺牲层上形成光阻层;通过曝光和显影在硅片正、背面的牺牲层上形成栅线图案;通过酸性溶液预处理,去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层;在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜,形成铜栅线电极;通过碱性溶液,去除硅片正、背面的的光阻层和牺牲层;通过金属蚀刻溶液,去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。
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