[发明专利]一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710461659.0 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN107326385B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 车延科;刘阿楠;章宇超;宋文静;赵进才;马万红;陈春城;籍宏伟 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/06;C23C18/12
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞;牛艳玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,包含如下步骤:步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β‑FeOOH的FTO;步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β‑FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400‑800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。本发明方法简单,易于操作,成本低廉,形貌均一,所得产品光电性能远优于常规光电极,在催化、光电催化水氧化等领域有较好的应用前景。并且应用本方法制备得到的光电极光生电子和空穴分离效率高,具有良好的光电催化活性,其水氧化光电流可达1.05mA/cm2
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化 二铁光 电极 制备 方法
【主权项】:
1.一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β‑FeOOH的FTO;步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β‑FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400‑800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。
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