[发明专利]通过无焊剂焊接制造的半导体器件有效
| 申请号： | 201710463118.1 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107527827B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴祖华;A.R.穆罕默迪 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开通过无焊剂焊接制造的半导体器件。该方法包括：将第一半导体芯片放置在载体上，其中第一半导体芯片的第一主表面面向载体，其中软焊接材料的第一层提供在第一主表面和载体之间，并且在放置期间施加热量使得软焊接材料的第一层处的温度等于或高于软焊接材料的第一层的熔融温度，将包括第一接触区域的接触夹放置在第一半导体芯片上，其中第一接触区域面向第一半导体芯片的第二主表面，其中软焊接材料的第二层提供在第一接触区域和第二主表面之间，并且在放置期间施加热量使得软焊接材料的第二层处的温度等于或高于软焊接材料的第二层的熔融温度，以及其后冷却软焊接材料的第一和第二层来固化软焊接材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 焊剂 焊接 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将第一半导体芯片放置在载体上，其中第一半导体芯片的第一主表面面向所述载体，其中软焊接材料的第一层提供在第一主表面和所述载体之间，并且在放置期间施加热量使得在软焊接材料的第一层处的温度等于或高于软焊接材料的第一层的熔融温度；将包括第一接触区域的接触夹放置在第一半导体芯片上，其中第一接触区域面向第一半导体芯片的第二主表面，其中软焊接材料的第二层提供在第一接触区域和第二主表面之间，并且在放置期间施加热量使得软焊接材料的第二层处的温度等于或高于软焊接材料的第二层的熔融温度；以及其后冷却软焊接材料的第一和第二层以固化软焊接材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
