[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710463763.3 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148682A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李岱萤;吴昭谊;林榆瑄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器，包括一底电极、一电阻转换层、一顶电极、一金属层、以及一阻挡层。电阻转换层配置于底电极上。顶电极配置于电阻转换层上。金属层配置于顶电极上。阻挡层覆盖金属层。其中，阻挡层环绕金属层及顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 顶电极 电阻转换 阻挡层 电阻式随机存取存储器 底电极 覆盖金属层 环绕金属层 金属层配置 金属层 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器，包括：一底电极；一电阻转换层，配置于该底电极上；一顶电极，配置于该电阻转换层上；一金属层，配置于该顶电极上；以及一阻挡层，覆盖该金属层，其中该阻挡层环绕该金属层及该顶电极。
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