[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710464429.X | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148401A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 齐伟华;张传宝 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该半导体器件包括依次设置的第一金属盘、顶部通孔、第二金属盘、焊盘、第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层之上，并且具有暴露所述焊盘的第二开口，其中，所述顶部通孔包括第一顶部通孔和第二顶部通孔，所述第一顶部通孔位于第二开口的下方，所述第二顶部通孔位于所述第二开口外侧对应的位置处，并且所述第一顶部通孔的尺寸大于所述第二顶部通孔的尺寸。该半导体器件可以提高次顶部金属层和顶部通孔之间的粘附力，降低焊盘剥落的风险。该半导体器件的制作方法和电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部通孔 半导体器件 钝化层 电子装置 开口 金属盘 焊盘 制作 顶部金属层 依次设置 位置处 粘附 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一金属盘、顶部通孔、第二金属盘、焊盘、第一钝化层和第二钝化层，其中：所述第一金属盘形成在次顶部金属层中位于焊盘下方的区域；所述顶部通孔形成在所述第一金属盘和第二金属盘之间，并且填充有导电材料，以电连接所述第一金属盘和第二金属盘；所述第二金属盘位于所述顶部通孔之上，且形成在顶部金属层中位于焊盘下方的区域；所述第一钝化层覆盖所述顶部金属层，并且具有暴露所述焊盘的第一开口；所述第二钝化层形成在所述第一钝化层之上，并且具有暴露所述焊盘的第二开口，其中，所述顶部通孔包括第一顶部通孔和第二顶部通孔，所述第一顶部通孔位于所述第二开口的下方，所述第二顶部通孔位于所述第二开口外侧对应的位置处，并且所述第一顶部通孔的尺寸大于所述第二顶部通孔的尺寸。
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