[发明专利]量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件有效

专利信息
申请号: 201710464477.9 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN109148698B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;在混合薄膜完全干燥前,进行抽真空处理;在抽真空过程中进行HHIC处理,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜;其中,所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。本发明在溶液成膜过程中,进行抽真空处理(为常规的慢速抽真空)。在抽真空过程中,薄膜完全干燥前,进行HHIC交联处理,固定溶质的相对位置。增加相分离所需要的能量,可以制备均匀的薄膜,减小抽速的要求,有效避免了传统加热交联方法使混合薄膜出现分布不均的问题。
搜索关键词: 量子 载体 交联 混合 薄膜 制备 方法 qled 器件
【主权项】:
1.一种量子点与载体交联的混合薄膜的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;步骤C、在混合薄膜完全干燥前,进行抽真空处理;在抽真空过程中进行HHIC处理,得到量子点与载体交联的混合薄膜。
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