[发明专利]量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED有效

专利信息
申请号: 201710464478.3 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN109148699B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54;C08G63/06;C08J5/18;C08L67/04
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED,方法包括步骤:将量子点与带有至少两个官能团的单体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与带有至少两个官能团的单体的混合薄膜;通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。本发明利用HHIC方法,避免了杂质的产生,从而提高量子点与聚合物交联的混合薄膜的纯度。
搜索关键词: 量子 聚合物 交联 混合 薄膜 制备 方法 qled
【主权项】:
1.一种量子点与聚合物交联的混合薄膜的制备方法,其特征在于,包括:步骤A、将量子点与带有至少两个官能团的单体混合于溶剂中,得到混合液;步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与带有至少两个官能团的单体的混合薄膜;步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。
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