[发明专利]量子点与金属纳米粒子交联的薄膜及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 201710465257.8 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148734B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了量子点与金属纳米粒子交联的薄膜及其制备方法、应用，所述制备方法包括步骤：将量子点与金属纳米粒子混合于溶剂中，得到混合液；通过溶液法将混合液制成混合薄膜；通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，使得量子点与金属纳米粒子之间发生交联，得到量子点与金属纳米粒子交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术对包含量子点与金属纳米粒子的混合薄膜进行交联处理，不会改变非交联基团的性质，且不会产生副产物。此外，HHIC方法相比于其他方法不会影响或较小影响量子点的性质，经过HHIC方法交联的薄膜在稳定性上优于传统加热交联的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 金属 纳米 粒子 交联 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种量子点与金属纳米粒子交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将量子点与金属纳米粒子混合于溶剂中，得到混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理，使得量子点与金属纳米粒子之间发生交联，得到量子点与金属纳米粒子交联的混合薄膜。
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