[发明专利]一种室温富卤素CsPbX3无机钙钛矿纳米晶体的制备方法

摘要

本发明公开了一种室温富卤素CsPbX3无机钙钛矿纳米晶体的制备方法。其特征步骤为在传统室温合成无机钙钛矿纳米晶体的基础上引入卤化胺，将加入卤化胺之后的前驱体溶液加入到极性溶剂中，得到CsPbX3(X＝Cl，Br，I或者其混合物)无机钙钛矿纳米晶体。其中卤化胺是加NH4X到油胺中，在100℃惰性气体氛围下脱气1h制得。本发明的优点是：室温富卤素合成，荧光量子效率及稳定性高，方法简单，可以大规模生产。相比于传统方法合成的CsPbBr3纳米晶体，富卤素合成的CsPbBr3纳米晶体表现出优异的光学性能，多次纯化后依然表现出高的荧光量子效率，是传统方法的3‑4.3倍，提高了其应用潜力。

主权项

一种室温富卤素CsPbX3无机钙钛矿纳米晶体的制备方法，其特征在于，合成制备步骤为：步骤1，将金属卤化盐PbX2和CsX按摩尔比1:1，溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中，超声使其完全溶解，所述的金属卤化盐的浓度为0.04mol/L；步骤2，将表面活性剂油酸和卤化胺分别按体积比油酸：N,N‑二甲基甲酰胺＝10:1和卤化胺：N,N‑二甲基甲酰胺＝20:1加入到步骤1得到的溶液中，混合均匀后得到反应的前驱体溶液；步骤3，将前驱体溶液加入到甲苯中，搅拌使其反应完全，最后离心纯化得到CsPbX3无机钙钛矿纳米晶体；步骤2所述的卤化胺在反应前需加热到40℃；步骤3所述的反应均是在室温下进行的。