[发明专利]OLED面板的封装方法

摘要

本发明提供一种OLED面板的封装方法，首先在基板上于OLED器件外围形成一圈有机限定膜，然后采用原子层沉积的方法在基板、及OLED器件上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜后，便可以得到对应位于封装区域上方的原子层沉积膜，最后对应所述封装区域的上方在所述原子层沉积膜上形成封装薄膜，从而完成OLED面板的封装；本发明通过利用有机限定膜实现了选择性原子层沉积，避免了ALD Mask的使用及由其使用所带来的清洗及更换问题，制程相对简单，从而节省了成本，且所得到的封装结构，能够满足柔性OLED面板的封装要求，可以有效的阻隔外界的水氧，从而有效保护OLED器件。

主权项

1.一种OLED面板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围形成有机限定膜(90)，所述有机限定膜(90)在所述基板(10)上围出封装区域；步骤S2、采用原子层沉积的方法在所述基板(10)、及OLED器件(20)上沉积一层整面覆盖所述封装区域的无机薄膜，去除所述有机限定膜(90)，由该无机薄膜得到对应位于所述封装区域上方的原子层沉积膜(30)；步骤S3、在所述原子层沉积膜(30)上形成封装薄膜(40)；所述步骤S1中，所述有机限定膜(90)的材料为聚乙烯吡咯烷酮、或聚甲基丙烯酸甲酯，所述有机限定膜(90)的厚度为0.5μm以上；所述步骤S2中，利用氧等离子体去除所述有机限定膜(90)；所述步骤S2中，所述原子层沉积膜(30)的材料为三氧化二铝、氧化硅、或二氧化锆，所述原子层沉积膜(30)的厚度为25‑100nm。