[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201710466119.1 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN107293553B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 郭玉珍;董学;王海生;吴俊纬;刘英明;丁小梁;曹学友;郑智仁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板划分为多个像素区,每一所述像素区均设置有像素薄膜晶体管,其中,至少部分所述像素区内设置有压力组件和压力薄膜晶体管,所述压力薄膜晶体管包括第一极、第二极和控制极,所述压力组件与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接;并且,所述像素薄膜晶体管的至少部分层结构与所述压力薄膜晶体管的对应层结构同层设置。该阵列基板通过将压力薄膜晶体管和像素薄膜晶体管同层设置并使得相应的层结构在相同的制备工艺中完成,在简化阵列基板结构和制备方法的同时,实现高精度的压力检测,为人们的触控提供更为细腻的体验。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,划分为多个像素区,每一所述像素区均设置有像素薄膜晶体管,其特征在于,至少部分所述像素区内设置有压力组件和压力薄膜晶体管,所述压力薄膜晶体管包括第一极、第二极和控制极,所述压力组件与所述压力薄膜晶体管的第一极或控制极连接;并且,所述像素薄膜晶体管的至少部分层结构与所述压力薄膜晶体管的对应层结构同层设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的