[发明专利]底发射型白光OLED面板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种底发射型白光OLED面板的制作方法及其结构。该底发射型白光OLED面板的制作方法一方面将薄膜晶体管与彩膜层制作在同一衬底基板上，无需设置偏光片，能够降低制作成本；另一方面在氧化物半导体层上制作出栅极及栅极绝缘层后对所述氧化物半导体层进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层未被所述栅极及栅极绝缘层遮挡的部分电阻降低，形成导体层，而被栅极及栅极绝缘层遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区，以所述导体层作为白光OLED的阳极，能够省去单独制作阳极的黄光与蚀刻制程，另外可省去遮光层、平坦层、与像素定义层的制备，从而能够简化工序，减少黄光制程道数，节省光罩数量，进一步降低制作成本。

主权项

一种底发射型白光OLED面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1)并清洗，在所述衬底基板(1)上依次沉积红色色阻(R)、绿色色阻(G)、及蓝色色阻(B)，形成彩膜层(2)；步骤S2、在所述彩膜层(2)上沉积缓冲层(3)；步骤S3、在所述缓冲层(3)上沉积氧化物半导体薄膜并进行图案化处理，形成氧化物半导体层(4’)；步骤S4、在所述氧化物半导体层(4’)与缓冲层(3)上依次沉积绝缘薄膜(5’)、与第一金属层(6’)；步骤S5、先对所述第一金属层(6’)进行图案化处理，形成栅极(6)，再以所述栅极(6)为自对准图形来蚀刻绝缘薄膜(5’)，形成位于所述栅极(6)下方的栅极绝缘层(5)；所述栅极(6)与栅极绝缘层(5)遮挡部分氧化物半导体层(4’)，暴露出氧化物半导体层(4’)的两侧；步骤S6、对所述氧化物半导体层(4’)进行整面的等离子体处理，使得所述氧化物半导体层(4’)未被所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)遮挡的部分电阻降低，形成导体层(41)，而被所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)遮挡的部分仍为半导体，形成半导体沟道区(42)；步骤S7、在所述栅极(6)、导体层(41)、及缓冲层(3)上沉积层间绝缘层(7)并进行图案化处理，形成贯穿该层间绝缘层(7)以分别暴露出导体层(41)部分表面的源极接触孔(71)、漏极接触孔(72)、及像素定义孔(73)；所述源极接触孔(71)与漏极接触孔(72)分别位于所述栅极(6)及栅极绝缘层(5)的两侧，所述像素定义孔(73)靠近所述源极接触孔(71)；步骤S8、在所述层间绝缘层(7)上沉积第二金属层并进行图案化处理，形成源极(S)、及漏极(D)，所述源极(S)经所述源极接触孔(71)接触所述导体层(41)，所述漏极(D)经所述漏极接触孔(72)接触所述导体层(41)；所述源极(S)、漏极(D)、栅极(6)、栅极绝缘层(5)、与所述源极(S)接触的导体层(41)部分、与所述漏极(D)接触的导体层(41)部分、及半导体沟道区(42)构成薄膜晶体管(T)；步骤S9、在所述源极(S)、漏极(D)、及层间绝缘层(7)上沉积钝化层(9)并进行图案化处理，形成暴露出所述像素定义孔(73)的通孔(91)；步骤S10、以所述导体层(41)为阳极在所述像素定义孔(73)内沉积白光OLED发光层(10)；步骤S11、在所述白光OLED发光层(10)与钝化层(9)上沉积金属阴极(11)。