[发明专利]一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法

摘要

本发明设计太阳能电池领域，具体是一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法。一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法，在不改变整体折射率的前提下，镀了六层SiNx薄膜，薄膜由里到外，折射率依次递减，以进一步提高了可见光的吸收，达到更好的减反射效果。并在每次镀膜前添加一次预清理，预清理主要作用是用NH₃中的H离子钝化硅片表面，置换杂质，在每次镀膜前预清理可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的SiN_x膜，有效防止烧结后银浆将SiNx膜中的杂质烧过PN结，从而使短路电流得到很大提升。

主权项

1.一种太阳能电池PECVD多层钝化减反膜的制备方法，其特征在于：按照如下的步骤进行步骤一、使用 臭氧生成机对经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅进行氧化，臭氧流量设定为500‑1000L/h；步骤二、使用 PECVD 在氧化硅膜上进行第一次预清理后，使用 PECVD 在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为1450‑1500ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑60s, 处理温度为 350‑450℃ ；步骤二、使用 PECVD 在第一层氮化硅膜上进行第二次预清理后，使用 PECVD 在第一层氮化硅膜上制作第二层氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为1350‑1450ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑50s, 处理温度为 350‑450℃ ；步骤三、使用 PECVD 在第二层氮化硅膜上进行第三次预清理后，使用 PECVD 在第二层氮化硅膜上制作第三层氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为1300‑1350ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑50s, 处理温度为 350‑450℃ ；步骤四、使用 PECVD 在第三层氮化硅膜上进行第四次预清理后，使用 PECVD 在第三层氮化硅膜上制作第四层氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为1250‑1300ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑50s, 处理温度为 350‑450℃ ；步骤五、使用 PECVD 在第四层氮化硅膜上进行第五次预清理后，使用 PECVD 在第四层氮化硅膜上制作第五层氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为1200‑1250ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑50s, 处理温度为 350‑450℃ ；步骤六、使用 PECVD 在第五层氮化硅膜上进行第六次预清理后，使用 PECVD 在第五层氮化硅膜上制作第六层氮化硅膜，其中氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑6L/min、硅烷流量为500‑1200ml/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率5kw‑8kw，时间20‑50s, 处理温度为 350‑450℃，步骤一到步骤六的每次预清理中，氮气流量为 3‑10L/min、氨气流量为3‑10L/min，压力1000‑2000mTorr，射频功率 6‑8kw，持续时间 10‑20s，处理温度为 350‑450℃ 。