[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体制造装置有效
| 申请号： | 201710469560.5 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527791B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。在向表面形成有凹部的被处理体供给含有硅的成膜气体来用硅填充凹部内以形成硅层时，能够防止硅层中含有空隙或形成接缝。向被处理体(晶圆W)供给成膜气体，来在被处理体的表面的凹部(42)内形成硅膜(44)。接着，向被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体，对处理气体提供热能使其活性化，对形成于凹部(42)的侧壁的硅膜(44)进行蚀刻来扩大凹部(42)的开口宽度，其中，卤素气体用于对硅膜(44)进行蚀刻，粗糙抑制气体用于抑制被卤素气体蚀刻后的硅膜(44)的表面粗糙。然后，向被处理体供给成膜气体，使硅堆积于残留在凹部(42)内的硅膜上来填充硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：向被处理体供给含有硅的成膜气体，来在形成于该被处理体的表面的凹部内形成硅膜；接着，向所述被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体，所述卤素气体用于对所述硅膜进行蚀刻，所述粗糙抑制气体用于抑制被该卤素气体蚀刻后的硅膜的表面粗糙；蚀刻工序，对该处理气体提供热能使其活性化，对形成于所述凹部的侧壁的所述硅膜进行蚀刻来扩大该凹部的开口宽度；以及然后，向所述被处理体供给所述成膜气体，使硅堆积于残留在所述凹部内的所述硅膜上，来对该凹部内填充硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
