[发明专利]用PECVDSiO2钝化保护制造铟镓锌氧化物和氧化锌薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201710469679.2 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107293494A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | J·J·陈;崔寿永;任东吉;Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大体上关于用PECVD SiO2钝化保护(passivation)制造铟镓锌氧化物(IGZO)和氧化锌(ZNO)薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后，但在保护层或蚀刻停止层沉积于其上之前，将该有源沟道暴露于一氧化二氮(N2O)等离子体或氧气等离子体。在形成源极电极与漏极电极的过程中，有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面会有所改变或损坏。一氧化二氮等离子体或氧气等离子体改变并修复有源沟道与保护层或蚀刻停止层之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | pecvdsio2 钝化 保护 制造 铟镓锌 氧化物 氧化锌 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种形成薄膜晶体管的方法，包括:在薄膜晶体管中的基板上沉积有源层；在所述有源层上形成源极电极和漏极电极，其中所述有源层的一部分暴露；以及利用来自等离子体的氧来修复所述有源层的所述一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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