[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201710469822.8 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527817B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 奥利弗·黑尔蒙德;彼得·伊尔西格勒;塞巴斯蒂安·施密特;汉斯-约阿希姆·舒尔策;马丁纳·赛德尔-施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成多个非半导体材料部分；以及在多个非半导体材料部分上形成半导体材料以将多个非半导体材料部分埋置在半导体材料内。此外，该方法包括从半导体衬底的第二侧去除半导体衬底的至少一部分，以在半导体器件的背侧处露出多个非半导体材料部分。此外，该方法包括通过如下方式来在半导体器件的背侧处形成粗糙表面：去除多个非半导体材料部分中的至少子集，而保留半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分；或者去除半导体材料的侧向地位于多个非半导体材料之间的至少一部分，而保留多个非半导体材料部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：在半导体衬底的第一侧处形成(110)多个非半导体材料部分；在所述多个非半导体材料部分上形成(120)半导体材料以将所述多个非半导体材料部分埋置在所述半导体材料内；从所述半导体衬底的第二侧去除(130)所述半导体衬底的至少一部分以在所述半导体器件的背侧处露出所述多个非半导体材料部分；通过如下方式在所述半导体器件的背侧处形成(140)粗糙表面：去除所述多个非半导体材料部分的至少一子集而保留所述半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的至少一部分，或者去除所述半导体材料的侧向地位于所述多个非半导体材料部分之间的至少一部分而保留所述多个非半导体材料部分；以及在所述粗糙表面处形成(150)背侧金属化结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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