[发明专利]改进排布方式的金属键合点阵列和具该阵列的半导体器件有效
| 申请号： | 201710470556.0 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107256852B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改进排布方式的金属键合点阵列的半导体器件,由顶层为介质层和金属键合点的两片硅片混合键合组成，所述金属键合点形成节距相同的阵列均匀分布于所述硅片表面；混合键合时，两片硅片面面相对，上下堆叠，各硅片阵列内的金属键合点一一对应，彼此接触，其特征在于，所述每个硅片的阵列内金属键合点大小不一，在介质层表面交错地间隔排布，键合的两硅片之间的阵列排布彼此对应两硅片之间键合点大小对应排布。本发明充分利用现有键合设备，避免小节距情况下，因套准偏差造成硅片间互连电阻的不均匀分布，提高键合工艺可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 排布 方式 金属键 阵列 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种改进排布方式的金属键合点阵列的半导体器件,由顶层为介质层和金属键合点的两片硅片混合键合组成，所述金属键合点形成节距相同的阵列均匀分布于所述硅片表面；混合键合时，两片硅片面面相对，上下堆叠，各硅片阵列内的金属键合点一一对应，彼此接触，其特征在于，所述每个硅片的阵列内金属键合点大小不一，在介质层表面交错地间隔排布，键合的两硅片之间的阵列排布彼此对应，使得上一片硅片的大键合点在阵列中的位置对应下一片硅片的小键合点在阵列中的位置，上一片硅片的小键合点则对应下一片硅片的大键合点，从而确保键合后的接触面积恒定。
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