[发明专利]一种孔径梯度分布的氮化硅多孔陶瓷制备方法在审
| 申请号： | 201710470976.9 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107445626A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;齐荟仟;孙宇;孔巍巍 | 申请（专利权）人： | 上海极率科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B38/06 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种孔径梯度分布的氮化硅多孔陶瓷制备方法，包括以下步骤S1、制备氮化硅浆料；S2、在氮化硅浆料中分别加入不同尺寸的造孔剂，制得不同造孔剂尺寸的浆料；S3、将不同造孔剂尺寸的浆料逐一从内到外导入模具中，然后通过凝胶‑注模成型获得坯体；S4、将坯体通过无压烧结即制得所述多孔陶瓷。本发明方法工艺简单、环保，适于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔径 梯度 分布 氮化 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种孔径梯度分布的氮化硅多孔陶瓷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备氮化硅浆料；S2、在氮化硅浆料中分别加入不同尺寸的造孔剂，制得不同造孔剂尺寸的浆料；S3、将不同造孔剂尺寸的浆料逐一从内到外导入模具中，然后通过凝胶‑注模成型获得坯体；S4、将坯体通过无压烧结即制得所述多孔陶瓷。
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