[发明专利]一种互连工艺有效
| 申请号： | 201710471203.2 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107221512B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张昱;崔成强;张凯;高健;陈云;贺云波;陈新 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01B1/22;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连工艺，包括：将互连材料印刷至基板上，静置，再将芯片盖于所述互连材料表面，于100～200℃下烧结，得到互连器件；所述互连材料包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液；所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中，包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种。本发明的互连方法能够在低温无压下条件下将芯片与基板互连，完成电子元器件或大功率半导体器件的连接封装，能够较好的应用于高端电子器件的制造和半导体封装等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 工艺 | ||
【主权项】：
一种互连工艺，其特征在于，包括：将互连材料印刷至基板上，静置，再将芯片盖于所述互连材料表面，于100～200℃下烧结，得到互连器件；所述互连材料包括咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体和分散液；所述咪唑类化合物包覆纳米铜颗粒粉体中，包覆在纳米铜颗粒表面的咪唑类化合物选自苯并三氮唑、烷基咪唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑和烷基苯基咪唑中的一种或几种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
