[发明专利]一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法在审
| 申请号： | 201710473732.6 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107292026A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吕伟锋;王光义;林弥;孙玲玲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州奥创知识产权代理有限公司33272 | 代理人： | 王佳健 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法，该方法包括5个具体相互联系又逐步深入的步骤先利用HSPICE的蒙特卡罗仿真，提取器件性能参数的样本数据，利用HSPICE Toolbox直接导入样本数据至MATLAB中，利用统计工具箱拟合统计分布，最后通过卡方检验等验证统计分布的正确性。本发明提供了一种在CMOS器件设计早期快速精确地估计实际器件和电路的制造性能变化标准差和统计分布的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 参数 波动 引起 mosfet 性能 变化 估计 方法 | ||
【主权项】：
一种工艺参数波动引起MOSFET性能变化的估计方法，其特征是：通过HSPICE软件，设定MOSFET模型参数的其中一个或者多个变异参数，根据实际工艺技术水平，确定MOSFET模型参数的三个标准差大小，并进行1000次以上的蒙特卡罗仿真；通过“LV”或“LX”变量，提取MOSFET器件阈值电压、栅电容，进而描述MOSFET器件性能参数及其变化；在MATLAB软件中安装HSPICE Toolbox工具，将蒙特卡罗仿真产生的大量数据直接读取到MATLAB中；将MOSFET器件性能参数及其变化信息通过MATLAB软件的HSPICE Toolbox工具，应用其统计工具箱dfittool命令读入，进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征。
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