[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置有效
申请号: | 201710474413.7 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN107369728B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 藤本直树 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/12;H01L31/14;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/153;H01L31/16;H01L31/173;H01L25/16;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的受光发光元件(1)具备:基板(2)、形成于基板(2)的上表面的发光元件(3a)、形成于基板(2)的上表面侧的受光元件(3b)、发光元件侧第一电极衬垫(31B)、接合于该第一电极衬垫(31B)的金属块(34),发光元件侧第一电极衬垫(31B)以金属块(34)遮挡从发光元件(3a)发出且朝向受光元件(3b)的光的方式,经由绝缘层配置于基板(2)的上表面。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 以及 使用 传感器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种受光发光元件,其中,具备:由一导电型半导体构成的基板;在该基板的上表面上层叠包括一导电型半导体层和逆导电型半导体层的多个半导体层而成的发光元件;在所述基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区而成的受光元件;与所述基板连接且配置于所述基板的上表面的所述受光元件的电极衬垫,或者,经由电极与所述一导电型半导体层、所述逆导电型半导体层以及所述逆导电型半导体区中的任意者连接、且隔着绝缘层而配制于所述基板的上表面的电极衬垫;与该电极衬垫的上表面接合的金属块;以包围所述发光元件以及所述受光元件的方式配置于所述基板的上表面的框状的外壁;位于该外壁的内侧并将内侧空间分隔成与所述发光元件以及所述受光元件分别对应的空间的遮光壁,至少一个电极衬垫位于所述发光元件与所述受光元件之间,该遮光壁具有与所述基板对置的下表面,所述基板与所述遮光壁的下表面的间隔比所述金属块的所述电极衬垫的法线方向的厚度小,所述遮光壁以不与所述基板接触的方式配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的