[发明专利]一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201710475528.8 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107313016A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 白航空 | 申请（专利权）人： | 合肥市惠科精密模具有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站区九*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，包括以下步骤(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将AMOLED玻璃基板置于衬底台上；(2)以纯度不低于99.99％的TiO2、ZnO、SnO2氧化物粉末为原料，按照原子比TiZnSn＝322，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结；(3)利用射频磁控溅射方法，在AMOLED玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 amoled 显示屏 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用丙酮对AMOLED玻璃基板进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将AMOLED玻璃基板置于衬底台上；(2)以纯度不低于99.99％的TiO2、ZnO、SnO2氧化物粉末为原料，按照原子比Ti：Zn：Sn＝3：2：2，比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结；(3)利用射频磁控溅射方法，在AMOLED玻璃基板上溅射薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率。
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