[发明专利]一种核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710475915.1 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107299319B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 周翔;姜炜;柯香 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料的制备方法。所述方法首先利用真空物理气相沉积技术在基底上制备Cr过渡层及Cu薄膜，再在室温下将基底置于含有NaOH和(NH4)2S2O8的混合液中得到具有一维纳米结构的Cu(OH)2薄膜材料，然后经热处理得到具有一维纳米结构的CuO薄膜材料，最后利用物理气相沉积技术，将纳米Al包覆至CuO一维纳米结构上得到核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料。本发明制备过程中温度限制在200℃以下，相较现有的采用的≥450℃高温处理过程，能耗显著降低，并且制得核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料能与后端CMOS工艺相兼容，制备过程重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 cuo al 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：第一步，利用真空物理气相沉积技术在基底上制备Cr过渡层及Cu薄膜；第二步，将第一步得到的镀有Cr过渡层及Cu薄膜的基底置于NaOH浓度为3～4mol/L和(NH4)2S2O8浓度为0.15～0.2mol/L的混合液中，反应5～10min，经表面氧化处理得到具有一维纳米结构的Cu(OH)2薄膜材料；第三步，将第二步得到的具有一维纳米结构的Cu(OH)2薄膜材料在空气气氛中经180～200℃热处理，得到具有一维纳米结构的CuO薄膜材料；第四步，利用真空物理气相沉积技术，将纳米Al包覆至第三步得到的具有一维纳米结构的CuO薄膜材料，得到核壳结构CuO/Al纳米含能薄膜材料。
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