[发明专利]一种存储单元及存储器

摘要

本发明提供一种存储单元及存储器，包括：具有字线的基材；栅电极；功函数墙，其长度方向与字线成第一角度；有源层；漏电极以及位线，位线与有源层延伸方向成第二角度、与字线成第三角度；保护层；多介质层；多介质层中形成有阶梯状电容。本发明中晶体管的隆起道区沿着功函数墙的侧面和顶面分布，形成垂直沟道的晶体管结构，有效抑制短沟道效应，使得晶体管能够在工艺微缩情况下具有良好性能；在功函数墙的夹合空隙做成漏电极，且电容通过延伸孔与晶体管电连接，大大缩小存储单元的尺寸；电容采用了阶梯状沟槽进行制备，具有双层介质层，有效增大电容的面积，进而提高电容量；另外，该存储单元中的重复单元占用面积能够达到4F2，具有高集成度。

主权项

1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元至少包括：一基材；第一字线和第二字线，掩埋于所述基材内；第一功函数墙和第二功函数墙，所述第一功函数墙设置于所述基材上并等电位连接所述第一字线，所述第二功函数墙设置于所述基材上并等电位连接所述第二字线，所述第一功函数墙的第一部位交叠在所述第一字线上，所述第二功函数墙的第二部位交叠在所述第二字线上，所述第一功函数墙与所述第二功函数墙为对称设置；第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述第一功函数墙的表面，所述第二栅介质层形成于所述第二功函数墙的表面；有源层，沉积于所述基材上，所述有源层包含一形成于所述第一功函数墙和所述第二功函数墙之间并呈谷状凹陷的漏区、一延伸至所述基材上且在所述第一功函数墙的一外侧的第一源区、一延伸至所述基材上且在所述第二功函数墙的一外侧的第二源区，并且所述有源层顺从所述第一功函数墙和所述第二功函数墙的外形轮廓而覆盖于所述第一栅介质层和所述第二栅介质层，以立体膜层覆盖方式一体连接所述漏区在所述第一源区与所述第二源区之间；第一介质层，覆盖于所述有源层上，所述漏区、所述第一源区与所述第二源区外露于所述第一介质层，所述第一介质层具有一在所述第一功函数墙和所述第二功函数墙之间的电极孔；漏电极，设置于所述电极孔中并与所述漏区电接触；以及位线，电接触所述漏电极。