[发明专利]一种高亮LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710478555.0 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107516699A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李智勇;张宇;张向飞;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 213300*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高亮LED芯片的制备方法，属于发光二极管芯片制备技术领域，在衬底上依次外延制备缓冲层、N‑GaN、MQW及P‑GaN，其中，P‑GaN周期性开孔，厚度为30～70nm；在P‑GaN表面用电子束蒸发或磁控溅射制备ITO；利用掩膜刻蚀方法使ITO和/或P‑GaN开孔；使用E‑gun在ITO、P‑GaN表面沉积金属纳米颗粒层，金属纳米颗粒层覆盖率为5％‑30％，厚度约1.5‑3nm，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5‑80nm的Au、Ag合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。本发明制备得到的LED芯片的出光能力得到大幅提升，实现一种高亮LED芯片的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤如下：在衬底上依次外延制备缓冲层、N型氮化镓掺杂层、多量子阱发光层、P型氮化镓层，用电子束蒸发或磁控溅射的制备方式，在P型氮化镓层表面制备一层透明导电薄膜；使用电子束热蒸发在透明导电薄膜表面沉积金属纳米颗粒层，再经过600度30min热处理，金属纳米颗粒层自组装成5‑80nm的Au、Ag、Al合金材料的纳米颗粒，即得高亮LED芯片。
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