[发明专利]一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺

摘要

本发明涉及高频逆变电源技术领域，具体涉及一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，包括如下步骤：（1）将纳米晶带材卷绕成环形纳米晶磁芯。（2）将纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；（3）将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理。本发明的退火工艺用常规格退火炉把所要热处理的纳米晶磁芯通过两次相同热处理工艺以达到横磁炉降低纳米晶磁芯剩磁的电性要求，简化了热处理工艺，工艺简单，减少了生产设备投入，还可以节省电力成本25%以上，生产成本低。通过本发明的退火工艺制得的纳米晶磁芯具有稳定的磁导率和直流偏置能力，还具有高饱和磁感应强度、低损耗值、低矫顽力、耐高温等优点，综合性能优良。

主权项

1.一种降低纳米晶磁芯的剩磁的退火工艺，其特征在于：包括如下步骤：(1)将纳米晶带材卷绕成环形纳米晶磁芯；(2)将纳米晶磁芯放入真空退火炉内进行热处理；(3)将热处理后的纳米晶磁芯放入真空退火炉内再次进行热处理；其中，所述步骤(1)中，纳米晶带材的厚度为15‑25μm，宽度为20‑30mm；其中，所述步骤(1)中，纳米晶带材为铁基纳米晶带材，所述铁基纳米晶带材包括如下重量百分比的元素：Ni：15％‑25％、Si：10％‑12％、B：3％‑5％、Nb：2％‑4％、Cu：0.3％‑0.5％、Co：4％‑8％，余量为Fe；其中，所述步骤(2)和所述步骤(3)中，热处理的步骤为：a)经过110‑130min把炉内温度从室温升温至640‑660K；b)在643‑663K保温15‑25min后，用32‑40min升温至750‑770K；c)在753‑773K保温35‑45min后，用11‑15min升温至790‑810K；d)在793‑813K保温55‑65min后，用10‑14min升温至825‑845K；e)在828‑848K保温35‑45min后，退出炉罩强风把炉体温度急冷至340‑360K，打开炉门把纳米晶磁芯取出；f)把从炉内取出的纳米晶磁芯放在冷却架上再强风急冷至常温。