[发明专利]光电元件

摘要

本发明公开一种光电元件的结构，其包含：一半导体叠层，包含：一第一导电型半导体层、一活性层、及一第二导电型半导体层；一第一电极与第一导电型半导体层电连接，且第一电极还包含一第一延伸电极；一第二电极与第二导电型半导体层电连接；及多个限制电性接触区域位于半导体叠层与第一延伸电极之间，且多个限制电性接触区域以变距离的间隔分布。

主权项

1.一种光电元件，包含：半导体叠层，包含：第一导电型半导体层、活性层、及第二导电型半导体层；凹槽，从该第二导电型半导体层向下蚀刻该活性层至暴露出该第一导电型半导体层；第一电极，形成于该凹槽上，并与该第一导电型半导体层电连接，且该第一电极还包含一第一延伸电极；一或多个限制电性接触区域，位于该第二导电型半导体层上，并沿着该凹槽的侧壁延伸至该凹槽的底部；及第二导电型接触层，位于该第二导电型半导体层与该一或多个限制电性接触区域之间，其中该一或多个限制电性接触区域露出该第二导电型接触层的部分，该第一延伸电极位于该一或多个限制电性接触区域之上，其中该第一延伸电极沿着该一或多个限制电性接触区域的侧壁延伸至该凹槽的该底部并接触该第一导电型半导体层，及其中该第一延伸电极具有一宽度D₂；该第二导电型接触层为该凹槽所分隔，其中被分隔的该第二导电型接触层相距一距离D₁，且D₁＜D₂。