[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201710482040.8 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107541717B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 堀池亮太;龟田贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;李文屿<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，降低排气系统的维护频率。半导体器件的制造方法具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向处理室内的衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成膜的工序中，当原料不流过第一排气系统内时，经设置于第一排气系统的供给端口向第一排气系统内直接供给失活体，失活体为不同于反应体的物质。通过本发明，能够降低排气系统的维护频率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，/n在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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