[发明专利]伪金属帽和再分布线的路由设计有效

专利信息
申请号: 201710482330.2 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN108400122B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 余振华;陈宪伟;李孟灿;林宗澍;吴伟诚;邱建嘉;王景德 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种封装件包括第一介电层,位于第一介电层上方且附接至第一介电层的器件管芯,有源贯通孔和伪贯通孔以及密封器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔的密封材料。封装件还包括位于器件管芯、有源贯通孔和伪贯通孔上方并与其接触的第二介电层。有源金属帽位于第二介电层上方并与第二介电层接触并电连接至有源贯通孔。有源金属帽与有源贯通孔重叠。伪金属帽位于第二介电层上方并接触第二介电层。伪金属帽与伪贯通孔重叠。通过间隙将伪金属帽分成第一部分和第二部分。再分布线穿过伪金属帽的第一部分和第二部分之间的间隙。本发明实施例涉及伪金属帽和再分布线的路由设计。
搜索关键词: 贯通孔 介电层 金属帽 再分布 器件管芯 封装件 源金属 路由 密封材料 密封器件 电连接 附接 管芯 穿过
【主权项】:
1.一种封装件,包括:/n第一介电层;/n器件管芯,位于所述第一介电层上方并且附接至所述第一介电层;/n有源贯通孔和伪贯通孔;/n密封材料,密封所述器件管芯、所述有源贯通孔和所述伪贯通孔;/n第二介电层,位于所述器件管芯、所述有源贯通孔和所述伪贯通孔上方并且接触所述器件管芯、所述有源贯通孔和所述伪贯通孔;/n有源金属帽,位于所述第二介电层上方并且接触所述第二介电层并且电连接至所述有源贯通孔,其中,所述有源金属帽与所述有源贯通孔重叠;/n伪金属帽,位于所述第二介电层上方并且接触所述第二介电层,其中,所述伪金属帽与所述伪贯通孔重叠,并且通过第一间隙将所述伪金属帽分成第一部分和第二部分;以及/n第一再分布线,穿过所述第一间隙。/n
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