[发明专利]一种互补半桥电路

摘要

一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其连接方式是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时，高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；所述的低位开关SL的漏极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的源极串联；第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的源极，另一端或者连接高位开关SH的漏极，或者连接低位开关SL的源极。本发明提出的一种互补半桥电路解决了传统半桥电路中高位开关SH的驱动问题，其利用所述的RD并联电路两端电压来控制高位开关SH的开通和关断，以完成高位驱动，本发明公开的一种半桥互补电路省去了用于产生PWM2的IC和外围元器件，由此降低了成本，提高了可靠性。

主权项

一种互补半桥电路，包括高位开关SH，低位开关SL，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管D3，第一电阻R1，第一电容C1，线圈L1，其特征是，当所述的高位开关SH和低位开关SL是三极管时，高位开关SH的基极和发射极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，高位开关SH的基极和集电极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；高位开关SH的集电极和发射极分别并联在第三二极管D3的阴极和阳极；所述的低位开关SL的集电极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与高位开关SH的发射极串联，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极，形成RD并联电路；所述的第一电容C1与线圈L1串联，形成LC串联电路，该LC串联电路一端连接高位开关SH的发射极，另一端或者连接高位开关SH的集电极，或者连接低位开关SL的发射极。