[发明专利]LDMOS晶体管和方法有效
| 申请号： | 201710485583.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546271B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | A·布里纳;H·布里施;M·齐格尔德鲁姆 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；LDMOS晶体管，布置在所述半导体衬底的正面中；以及导电衬底通孔，其中所述导电衬底通孔包括：通孔，从所述正面延/伸到所述半导体衬底的背面；导电插塞，填充所述通孔的第一部分；和导电衬层，对所述通孔的第二部分的侧壁加衬并且电耦合至所述导电插塞。
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